Elektronik, Elektro und Unterhaltungselektronik

Kostenlose Pressemitteilungen zu Elektronik und Elektro

Jun
03

Rutronik ist erneut „European Distributor of the Year“ von Diodes

Rutronik freut sich über Auszeichnung „European Distributor of the Year“ von Diodes (Bildquelle: Rutronik) Diodes hat die Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH nach 2014 auch für 2015 als „European Distributor of the Year“ ausgezeichnet. Damit honoriert der Hersteller das europaweit höchste Wachstum innerhalb seines Distributorennetzwerks sowie den höchsten Anteil von Design-In Produkten am Gesamtumsatz. Nach einem … Weiterlesen »

Mai
14

Vishay Bauteile: Höhere Leistung bei kleineren Abmessungen

Vishay auf der PCIM 2014: Halle 9, Stand 212 Neue Produkte bei MOSFETs, Keramik-Vielschichtkondensatoren, Leistungskondensatoren, TMBS® und FRED Pt® Komponenten sowie neue gekoppelte IHCL-Induktivitäten. Selb / Malvern (USA), 14. Mai 2014 – Auf der PCIM präsentiert Vishay viele neue Bauteile aus den Bereichen Leistungskondensatoren, Induktivitäten und Widerstände, Keramik-, Film- und Alukondensatoren sowie MOSFETs, Dioden und … Weiterlesen »

Apr
25

Vishay auf der PCIM 2014: Halle 9, Stand 212

Vishay Bauteile realisieren höhere Leistung bei kleineren Abmessungen Selb / Malvern (USA), 24. April 2014 – Auf der PCIM präsentiert Vishay viele neue Bauteile aus den Bereichen Leistungskondensatoren, Induktivitäten und Widerstände, Keramik-, Film- und Alukondensatoren sowie MOSFETs, Dioden und Gleichrichter. Alle Bauteile zeichnen sich durch hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer aus. Besucher erfahren vor Ort, … Weiterlesen »

Mai
10

Vishay auf der PCIM Europe 2013: Halle 9, Stand 212 –

Neueste MOSFETs, passive Bauelemente und Dioden von Vishay Malvern/USA und Selb – 7. Mai 2013 – Vishay Intertechnology wird auf der PCIM Europe auf Stand 212 / Halle 9 seine branchenführenden Leistungs-MOSFET-, Passivbauelemente- und Diodentechnologien für Anwendungen unterschiedlichster Art präsentieren: Im Bereich Leistungs-MOSFET-Technologien stellt Vishay Siliconix zahlreiche MOSFET-Lösungen vor, mit denen Entwicklungsingenieure höhere Leistungsdichten erzielen, … Weiterlesen »

Jan
07

Dual CoolTM Gehäuse von Fairchild Semiconductor ermöglichen höhere Leistungsdichte und Leistung bei DC-DC-Anwendungen

Optimierte MV-MOSFETs bieten einen um den Faktor vier geringeren Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung Fürstenfeldbruck – 7. Januar 2013 – Die Entwickler von DC-DC-Wandlern müssen die Leistungsdichte kontinuierlich verbessern und gleichzeitig die benötigte Leiterplattenfläche und den Wärmewiderstand reduzieren. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) hat genau für diese Design-Herausforderungen neue Mittelspannungs PowerTrench® MOSFETs mit Dual Cool™ Gehäuse-Technologie … Weiterlesen »

Mai
31

Cree präsentiert Z-FET? Siliziumkarbid-MOSFET für energieeffiziente Anwendungen

Neuer 1.200-V-Z-FET SiC-MOSFETs sorgt für Energieersparnis bei Solar , Stromversorgungs und Antriebs-Applikationen im Bereich von 3 bis 10 kW München, 26. Mai 2011 – Cree erweitert seine Z-FET-Familie mit einem 1.200 V SiC-MOSFET für niedrige Amperezahlen. Leistungselektronik-Designer haben damit die Möglichkeit, den Wirkungsgrad von Wechselrichtern für alternative Energien und andere Applikationen mit großen Stückzahlen zu … Weiterlesen »