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Mai
31

Cree präsentiert Z-FET? Siliziumkarbid-MOSFET für energieeffiziente Anwendungen

Neuer 1.200-V-Z-FET SiC-MOSFETs sorgt für Energieersparnis bei Solar , Stromversorgungs und Antriebs-Applikationen im Bereich von 3 bis 10 kW München, 26. Mai 2011 – Cree erweitert seine Z-FET-Familie mit einem 1.200 V SiC-MOSFET für niedrige Amperezahlen. Leistungselektronik-Designer haben damit die Möglichkeit, den Wirkungsgrad von Wechselrichtern für alternative Energien und andere Applikationen mit großen Stückzahlen zu … Weiterlesen »