Elektronik, Elektro und Unterhaltungselektronik

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Jun
29

Cree stellt neue Z-Rec?-Familie mit 1.200 V Siliziumkarbid-Schottkydioden vor

München, 29. Juni 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat die neue Z-Rec?-Familie vorgestellt. Diese besteht aus sieben für 1.200 V spezifizierten Siliziumkarbid-Schottkydioden, die in Bezug auf Preis und Performance optimiert sind. Die Bausteine werden für ein breites Spektrum von Nennströmen und in unterschiedlichen Gehäusen angeboten. Sie eignen sich … Weiterlesen »

Mai
31

Cree präsentiert Z-FET? Siliziumkarbid-MOSFET für energieeffiziente Anwendungen

Neuer 1.200-V-Z-FET SiC-MOSFETs sorgt für Energieersparnis bei Solar , Stromversorgungs und Antriebs-Applikationen im Bereich von 3 bis 10 kW München, 26. Mai 2011 – Cree erweitert seine Z-FET-Familie mit einem 1.200 V SiC-MOSFET für niedrige Amperezahlen. Leistungselektronik-Designer haben damit die Möglichkeit, den Wirkungsgrad von Wechselrichtern für alternative Energien und andere Applikationen mit großen Stückzahlen zu … Weiterlesen »