Elektronik, Elektro und Unterhaltungselektronik

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Nov
13

Siliciumcarbid (SiC) Lösungen von Fairchild Semiconductor bieten höchsten Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit für Energieumwandlungssysteme

Erster SiC bipolarer Sperrschichttransistor (BJTs) im Produktportfolio ermöglicht geringste Leistungsverluste bei hohen Betriebstemperaturen Druckfähiges Bild auf Anfrage erhältlich. Fürstenfeldbruck – 13. November 2012 – Um eine höhere Leistungsdichte zu erreichen und die strikten Wirkungsgradregelungen und Systemzuverlässigkeit zu erfüllen, müssen die Entwickler von Industrie- und Leistungselektronik die Leistungsverluste kontinuierlich reduzieren und die Zuverlässigkeit ihrer Designs stetig … Weiterlesen »

Okt
09

Fairchild Semiconductor konzentriert sich auf der electronica 2012 auf Siliciumcarbid-Lösungen

Fürstenfeldbruck – 09. Oktober 2012 – Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS), ein weltweit führender Anbieter von leistungsfähigen Lösungen für Leistungselektronik und mobile Halbleiter-Lösungen, zeigt auf der electronica 2012 auf dem Stand 506 in Halle A4 die neuste Siliciumcarbid (SiC) Technologie sowie über 15 innovative Lösungen für Leistungselektronik und mobile Anwendungen. Die electronica 2012 findet vom 13. … Weiterlesen »